收藏本站

DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA610TA
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
FOR HIGH SPEED SWITCHING
DESCRIPTION
The μ PA610TA is a switching device which can be driven
Package Drawings (unit: mm)
directly by a 2.5 V power source.
The μ PA610TA has excellent switching characteristics, and is
+0.1
0.32 –0.05
+0.1
0.16 –0.06
suitable for use as a high-speed switching device in digital circuits.
0 to 0.1
FEATURES
? Can be driven by a 2.5 V power source.
? Low Gate Cut-off Voltage.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C)
0.95 0.95
1.9
2.9 ±0.2
0.8
1.1 to 1.4
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Total Power Dissipation
Channel Temperature
V DSS
V GSS
I D(DC)
I D(pulse)
P T
T ch
–30
+20
+0.1
+0.4 Note
300 (TOTAL)
150
V
V
A
A
mW
° C
Equivalent Circuit
Drain
Storage Temperature
T stg
–55 to +150
° C
Gate
Internal Diode
Note PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1 %
Gate Protect
Diode
Source
Pin Connection (Top View)
6
5
4
1. Source 1
2. Source 2
3. Gate 2
4. Drain 2
5. Gate 1
1
2
3
6. Drain 1
Marking : JB
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage
may be applied to this device.
Document No. D11199EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published September 1996 P
Printed in Japan
?
1996
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
UPA611TA-T2-A MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6
UPA621TT-E2-A MOSFET N-CH 20V 6-WSOF
UPA622TT-E2-A MOSFET N-CH 30V 6-WSOF
UPA650TT-E1-A MOSFET P-CH 12V 6-WSOF
UPA672T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-70
UPA675T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 16V SC-70
UPA677TB-T2-A MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70
UPA678TB-T2-A MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70
相关代理商/技术参数
UPA611 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:UPA611TA Data Sheet | Data Sheet[08/1999]
UPA611TA 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
UPA611TA-T1-A 功能描述:MOSFET DL N-CH 30V 100MA SC-74 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA611TA-T2-A 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA620 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:UPA620TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002]
UPA620TT 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA621 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:UPA621TT Data Sheet | Data Sheet[06/2002]
UPA621TT 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING